Mosfet Canal P 11A 200V
1.650,00 CRC
Hay 1 producto.
Transistor de silicio NPN tipo epitaxial (proceso PCT) Fabricante Toshiba N.° Parte Fabricante 2SC3709A N.° Parte Dbu D13003 Encapsulado TO-220F RoHs Sí Datasheet 2SC3709AY