Mosfet Canal P 11A 200V
1.650,00 CRC
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Transistor de silicio NPN tipo epitaxial (proceso PCT) Fabricante Toshiba N.° Parte Fabricante 2SC3709A N.° Parte Dbu D13003 Encapsulado TO-220F RoHs Sí Datasheet 2SC3709AY
Transistor NPN 150mA 50V 200mW Fabricante JCST N.° Parte Fabricante 2SC4081 N.° Parte Dbu D13101 Encapsulado SOT-23-3 RoHs Sí Datasheet JCST_2SC4081