Mosfet canal N 100V 31A

Mosfet SMD canal N, VDSS 100V ID 31A, VGS 4V

Fabricante

 Infineon Technologies

N.° Parte Fabricante

 IRFR3410TRPBF

N.° Parte Dbu

 D133107

Encapsulado

 TO-252-2(DPAK)

RoHs

 

Datasheet

  IRFR3410TRPBF

1.350,00 CRC
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Cantidad
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Especificaciones generales

 Atributo  Valor (máx)
 Tipo de transistor
 Mosfet
 Voltaje drenador-fuente (Vdss)
 100V
 Corriente constante drenador (Id) 
 31A (T=25°C)
 Tipo de FET
 Canal N
 Disipación de potencia (Watt)
 3W
 Rds On (Máx) @ Id, Vgs  39 mΩ @ 18A,10V
 Temperatura de funcionamiento  -55°C a 175°C
 Aplicaciones
 Propósito general
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D133107
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Ficha técnica

Montaje
SMD
Fabricante
Infineon Technologies
Tipo de transistor
Mosfet
Voltaje (Vdss)
100V
Corriente (CC) drenador (Id)
31A
Tipo de canal
N