Mosfet Canal P 11A 200V
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2SC3709A, NPN
Transistor de silicio NPN tipo epitaxial (proceso PCT)
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Fabricante |
Toshiba |
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N.° Parte Fabricante |
2SC3709A |
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N.° Parte Dbu |
D13003 |
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Encapsulado |
TO-220F |
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RoHs |
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Datasheet |
Sí
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Especificaciones generales
| Atributo | Valor (Max) |
| Tipo de transistor |
BJT, bipolar transistor |
| Voltaje base colector (Vcbo) |
60V |
| Voltaje emisor colector (Vceo) |
50V |
| Corriente constante Colector (Id) | 12A |
| Disipación de potencia (Watt) |
30W (T=25°C) |
| Polaridad del transistor | PNP |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Ganancia (hFE) | - |
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D13003
10 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- Through Hole
- Tipo de transistor
- BJT
- Voltaje (VCEO) para BJT
- 50V
- Corriente Colector
- 12A
- Polaridad del transistor
- NPN
Transistor de silicio NPN tipo epitaxial (proceso PCT)
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Fabricante |
Toshiba |
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N.° Parte Fabricante |
2SC3709A |
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N.° Parte Dbu |
D13003 |
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Encapsulado |
TO-220F |
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RoHs |
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Datasheet |