Mosfet Canal P 11A 200V
1.650,00 CRC
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Mosfet 5A canal N
Transistor de efecto de campo Silicon canal N, mosfet 5A
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Fabricante |
Toshiba |
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N.° Parte Fabricante |
2SK2717 |
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N.° Parte Dbu |
D133108 |
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Encapsulado |
TO-220F |
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RoHs |
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Datasheet |
Sí
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Especificaciones generales
| Atributo | Valor (Max) |
| Tipo de transistor |
Mosfet |
| Voltaje drenador-fuente (Vdss) |
900V |
| Corriente constante drenador (Id) |
5A (T=25°C) |
| Tipo de FET |
Canal N |
| Disipación de potencia (Watt) |
45W (T=25°C) |
| Rds On (Máx) @ Id, Vgs | - |
| Temperatura del canal (Tch) | 150°C |
| Aplicaciones |
DC−DC Convertidor y Motor Drive |
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D133108
Ficha técnica
- Montaje
- Through Hole
- Tipo de transistor
- Mosfet
- Voltaje (Vdss)
- 900V
- Corriente (CC) drenador (Id)
- 5A
- Tipo de canal
- N
Transistor de efecto de campo Silicon canal N, mosfet 5A
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Fabricante |
Toshiba |
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N.° Parte Fabricante |
2SK2717 |
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N.° Parte Dbu |
D133108 |
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Encapsulado |
TO-220F |
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RoHs |
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Datasheet |