Transistor Mosfet canal N

Transistor mosfet canal N, 5.8A 30V 1.4W, (EERC)

Fabricante

 Microne

N.° Parte Fabricante

 MEM2310XG

N.° Parte Dbu

 D133109

Encapsulado

 SOT-23-3

RoHs

  Sí

Datasheet

  MICRONE_MEM2310XG

195,00 CRC
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El MEM2310XG es un transistor de efecto de campo de canal N, producido con tecnología DMOS de alta densidad celular, que se utiliza especialmente para minimizar la resistencia en estado. Este dispositivo se adapta particularmente a aplicaciones de bajo voltaje y baja disipación de energía.

Especificaciones generales
 Atributo  Valor (Max)
Tipo de transistor
  Mosfet
Voltaje drenador-fuente (Vdss)
  30V
Corriente constante drenador (Id) 
 5.8A
Tipo de FET
  Canal N
Disipación de potencia (Watt)
  1.4W (T=25°C)
Rds On (Máx) @ Id, Vgs  25mΩ @ 5.8A,10V
Temperatura de funcionamiento  -
Aplicaciones
  Propósito general
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D133109
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Ficha técnica

Montaje
SMD
Fabricante
Microne
Tipo de transistor
Mosfet
Corriente (CC) drenador (Id)
5.8A
Tipo de canal
N
Voltaje (VCEO) para BJT
30V