Mosfet Canal P 11A 200V
1.650,00 CRC
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Transistor IGBT 60A 600V
Transistor bipolar de compuerta aislada, 60A 600V
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Fabricante |
Silan Microelectronics |
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N.° Parte Fabricante |
SGT60N60FD1PN |
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N.° Parte Dbu |
D102108 |
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Encapsulado |
TO-3P |
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RoHs |
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Datasheet |
Sí
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Especificaciones generales
| Atributo | Valor de atributo |
| Tipo de transistor |
IGBT |
| Voltaje (VCE) |
600V |
| Corriente del colector (IC) |
60A (T=25°C) |
| Tipo de canal |
- |
| Disipación de potencia (Watt) |
321W |
| Voltaje compuerta emisor (VGE) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Aplicaciones |
Propósito general |
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D102108
10 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- Through Hole
- Tipo de transistor
- IGBT
Transistor bipolar de compuerta aislada, 60A 600V
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Fabricante |
Silan Microelectronics |
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N.° Parte Fabricante |
SGT60N60FD1PN |
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N.° Parte Dbu |
D102108 |
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Encapsulado |
TO-3P |
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RoHs |
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Datasheet |