Transistor IGBT 60A 600V

Transistor bipolar de compuerta aislada, 60A 600V

Fabricante

 Silan Microelectronics 

N.° Parte Fabricante

 SGT60N60FD1PN

N.° Parte Dbu

 D102108

Encapsulado

 TO-3P

RoHs

 

Datasheet

   SGT60N60FD1PN

4.950,00 CRC
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Cantidad
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Especificaciones generales

 Atributo  Valor de atributo
 Tipo de transistor
 IGBT
 Voltaje  (VCE)
 600V
 Corriente del colector  (IC) 
 60A (T=25°C)
 Tipo de canal
 -
 Disipación de potencia (Watt)
 321W
 Voltaje compuerta emisor (VGE)  -
 Temperatura de funcionamiento  -
 Aplicaciones
 Propósito general

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D102108
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Ficha técnica

Montaje
Through Hole
Tipo de transistor
IGBT