Mosfet Canal N 9A 900V 150W

Power Mosfet  Canal N 9A 900V 150W

Fabricante

 Toshiba

N.° Parte Fabricante

 2SK3878(STA1,E,S)

N.° Parte Dbu

 D102110

Encapsulado

 TO-3P

RoHs

 

Datasheet

   2SK3878-STA1-E-S_.pdf

3.900,00 CRC
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Especificaciones generales

 Atributo  Valor de atributo
 Tipo de transistor
 FET
 Voltaje drenador-fuente (Vdss)
 900V
 Corriente constante drenador (Id) 
 9A (T=25°C)
 Tipo de canal
 N
 Disipación de potencia (Watt)
 150W
 Rds On (Máx) @ Id, Vgs  -
 Temperatura de funcionamiento  -
 Aplicaciones
 Propósito general

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D102110
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Ficha técnica

Montaje
Through Hole
Tipo de transistor
Mosfet
Voltaje (Vdss)
900V