Mosfet Canal P 11A 200V
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Mosfet SMD Canal P
Mosfet SMD canal P, VDSS 55V ID 31A, VGS 2~4V
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Fabricante |
International Rectifier |
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N.° Parte Fabricante |
IRF5305S |
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N.° Parte Dbu |
D133101 |
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Encapsulado |
TO-263-2 |
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RoHs |
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Datasheet |
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Especificaciones generales
| Atributo | Valor (máx) |
| Tipo de transistor |
Mosfet |
| Voltaje drenador-fuente (Vdss) |
55V |
| Corriente constante drenador (Id) |
31A (T=25°C) |
| Tipo de FET |
Canal P |
| Disipación de potencia (Watt) |
3.8W |
| Rds On (Máx) @ Id, Vgs | 60 mΩ @ 16A,10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C a 175°C |
| Aplicaciones |
Propósito general |
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D133101
5 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- SMD
- Fabricante
- International Rectifier
- Tipo de transistor
- Mosfet
- Voltaje (Vdss)
- 55V
- Corriente (CC) drenador (Id)
- 31A
- Tipo de canal
- P
Mosfet SMD canal P, VDSS 55V ID 31A, VGS 2~4V
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Fabricante |
International Rectifier |
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N.° Parte Fabricante |
IRF5305S |
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N.° Parte Dbu |
D133101 |
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Encapsulado |
TO-263-2 |
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RoHs |
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Datasheet |