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Transistor BJT NPN 600mA 160V
Transistor NPN 600mA 160V, configuración de pines (EBC)
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Fabricante |
Fuxinsemi |
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N.° Parte Fabricante |
2N5551 |
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N.° Parte Dbu |
D102122 |
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Encapsulado |
TO-92 |
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RoHs |
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Datasheet |
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Sí
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Especificaciones generales
| Atributo | Valor de atributo |
| Tipo de transistor |
BJT |
| Voltaje Colector emisor (Vceo) |
160V |
| Corriente constante Colector (Id) |
600mA |
| Ganancia (hFE) |
- |
| Disipación de potencia (Watt) |
625mW (T=25°C) |
| Polaridad del transistor | NPN |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Aplicaciones |
Propósito general |
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D102122
40 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- Through Hole
- Tipo de transistor
- BJT
- Voltaje (VCEO) para BJT
- 160V
- Corriente Colector
- 600mA
- Polaridad del transistor
- NPN
Transistor NPN 600mA 160V, configuración de pines (EBC)
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Fabricante |
Fuxinsemi |
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N.° Parte Fabricante |
2N5551 |
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N.° Parte Dbu |
D102122 |
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Encapsulado |
TO-92 |
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RoHs |
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Datasheet |
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