Transistor IGBT 80A 1.2kV

Transistor bipolar de compuerta aislada, 80A 1200V

Fabricante

 luxin-semi

N.° Parte Fabricante

 YGW40N120F2

N.° Parte Dbu

 D102128

Encapsulado

 TO-247

RoHs

  

Datasheet

   

5.550,00 CRC
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Cantidad
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Especificaciones generales

 Atributo  Valor de atributo
 Tipo de transistor
 IGBT
 Voltaje  (VCE)
 1200V
 Corriente del colector  (IC) 
 80A (T=25°C)
 Tipo de canal
 -
 Disipación de potencia (Watt)
 417W
 Voltaje compuerta emisor (VGE)  -
 Temperatura de funcionamiento  -
 Aplicaciones
 Propósito general

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Ficha técnica

Montaje
Through Hole
Tipo de transistor
IGBT