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Transistor IGBT 40A 600V
Transistor bipolar de compuerta aislada, 40A 600V
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Fabricante |
Wuxi NCE Power Semiconductor |
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N.° Parte Fabricante |
NCE20TD60BF |
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N.° Parte Dbu |
D102129 |
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Encapsulado |
TO-220F |
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RoHs |
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Datasheet |
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MÉTODO DE PAGO PARA COMPRAS EN LÍNEA: TARJETA DE CRÉDITO, DÉBITO O SINPE MOVIL
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Costo de envío GAM ₡2,500, fuera de GAM ₡3,000 más IVA. Tarifa solo para Correos de Costa Rica
Especificaciones generales
| Atributo | Valor de atributo |
| Tipo de transistor |
IGBT |
| Voltaje (VCE) |
600V |
| Corriente del colector (IC) |
20A (T=100°C) |
| Tipo de canal |
- |
| Disipación de potencia (Watt) |
34.5W |
| Voltaje compuerta emisor (VGE) | - |
| Temperatura de funcionamiento | - |
| Aplicaciones |
Propósito general |
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D102129
7 Artículos
Ficha técnica
- Montaje
- Through Hole
- Tipo de transistor
- IGBT
Transistor bipolar de compuerta aislada, 40A 600V
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Fabricante |
Wuxi NCE Power Semiconductor |
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N.° Parte Fabricante |
NCE20TD60BF |
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N.° Parte Dbu |
D102129 |
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Encapsulado |
TO-220F |
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RoHs |
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Datasheet |
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