Transistor IGBT 40A 600V

Transistor bipolar de compuerta aislada, 40A 600V

Fabricante

 Wuxi NCE Power Semiconductor

N.° Parte Fabricante

 NCE20TD60BF

N.° Parte Dbu

 D102129

Encapsulado

 TO-220F

RoHs

  

Datasheet

   

1.500,00 CRC
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Especificaciones generales
 Atributo  Valor de atributo
 Tipo de transistor
  IGBT
 Voltaje  (VCE)
  600V
 Corriente del colector  (IC) 
 20A (T=100°C)
 Tipo de canal
  -
 Disipación de potencia (Watt)
  34.5W
 Voltaje compuerta emisor (VGE)  -
 Temperatura de funcionamiento  -
 Aplicaciones
  Propósito general

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Ficha técnica

Montaje
Through Hole
Tipo de transistor
IGBT