Transistor SMD BJT NPN

Transistor bipolar NPN, 40V, 300MHz, 225mW, 600 mA, 300hFE

Fabricante

 On Semiconductor

N.° Parte Fabricante

 MMBT2222ALT1G

N.° Parte Dbu

 D1333101

Encapsulado

 SOT-23-3

RoHs

 

Datasheet

  MMBT2222ALT1G

250,00 CRC
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Cantidad
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Prefijo S para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos de cambio de sitio y control únicos; AEC − Q101 calificado y compatible con PPAP.

Especificaciones generales

 Atributo  Valor (Max)
 Tipo de transistor
 BJT, bipolar transistor
 Voltaje Colector emisor  (Vceo)
 40V
 Corriente constante Colector (Id) 
 600mA
 Ganancia (hFE)
 300
 Disipación de potencia (Watt)
 225mW (T=25°C)
  Polaridad del transistor  NPN
 Temperatura de funcionamiento  -55°C a 150°C
 Aplicaciones
 Propósito general
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D1333101
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Ficha técnica

Montaje
SMD
Fabricante
ON Semiconductor
Tipo de transistor
BJT
Voltaje (VCEO) para BJT
40V
Corriente Colector
600mA
Polaridad del transistor
NPN