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Transistor SMD BJT NPN
Transistor bipolar NPN, 40V, 300MHz, 225mW, 600 mA, 300hFE
Fabricante |
On Semiconductor |
N.° Parte Fabricante |
MMBT2222ALT1G |
N.° Parte Dbu |
D1333101 |
Encapsulado |
SOT-23-3 |
RoHs |
Sí |
Datasheet |
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Costo de envío GAM ₡2,500, fuera de GAM ₡3,000 más IVA. Tarifa solo para Correos de Costa Rica
Prefijo S para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos de cambio de sitio y control únicos; AEC − Q101 calificado y compatible con PPAP.
Especificaciones generales
Atributo | Valor (Max) |
Tipo de transistor |
BJT, bipolar transistor |
Voltaje Colector emisor (Vceo) |
40V |
Corriente constante Colector (Id) |
600mA |
Ganancia (hFE) |
300 |
Disipación de potencia (Watt) |
225mW (T=25°C) |
Polaridad del transistor | NPN |
Temperatura de funcionamiento | -55°C a 150°C |
Aplicaciones |
Propósito general |
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Ficha técnica
- Montaje
- SMD
- Fabricante
- ON Semiconductor
- Tipo de transistor
- BJT
- Voltaje (VCEO) para BJT
- 40V
- Corriente Colector
- 600mA
- Polaridad del transistor
- NPN