MMBT2907ALT1G, BJT PNP

Transistor bipolar PNP, 60V, 200MHz, 300mW, 600mA, 300 hFE

Fabricante

 On Semiconductor

N.° Parte Fabricante

 MMBT2907ALT1G

N.° Parte Dbu

 D1333102

Encapsulado

 SOT-23

RoHs

  Sí

Datasheet

  MMBT2907ALT1G

125,00 CRC
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Prefijo S para aplicaciones automotrices y otras que requieren requisitos de cambio de sitio y control únicos; AEC − Q101 calificado y compatible con PPAP.

Especificaciones generales

 Atributo  Valor (Max)
 Tipo de transistor
  BJT, bipolar transistor
 Voltaje Colector emisor  (Vceo)
  60V
 Corriente constante Colector (Id) 
 600mA
 Ganancia (hFE)
  300
 Disipación de potencia (Watt)
  300mW (T=25°C)
  Polaridad del transistor  PNP
 Temperatura de funcionamiento  -55°C a 150°C
 Aplicaciones
  Propósito general
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D1333102
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Ficha técnica

Montaje
SMD
Fabricante
ON Semiconductor
Tipo de transistor
BJT
Voltaje (VCEO) para BJT
60V
Corriente Colector
600mA
Polaridad del transistor
PNP